现在很多现代的NAND闪存设备都采用了一种新型的架构，将接口、控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。我们称之为一体结构封装。
直到最近，所有的存储卡，如SD、索尼的MemoryStick、MMC等，都包含了一个非常简单的"经典"结构，其中包含了独立的部分——一个控制器、一个PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND内存芯片。
在这种情况下，恢复的整个过程非常简单——我们只是解焊了内存芯片，用PC-3000 FLASH直接读取它，并与普通USB闪存驱动器做了同样的准备。
但是，如果我们的存储卡或UFD设备是基于一体封装架构的，我们该怎么办呢?如何访问NAND内存芯片并从中读取数据?
基本上，在这种情况下，我们应该尝试通过擦除涂层的陶瓷层，在我们的一体封装装置的底部找到特殊的技术引脚。
在开始处理一体FLASH数据恢复之前，我们应该警告你，一体FLASH器件焊接的整个过程很复杂，需要良好的焊接技能和特殊设备。 如果您之前从未尝试过焊接一体FLASH器件，那么最好在一些数据不重要的配件在设备上尝试您的技能。 例如，您可以购买其中的几个，以测试您的准备和焊接技能。
您可以在下面找到必要设备清单：
当所有的设备都准备好进行焊接时，我们就可以开始生产了。
首先，我们使用我们的一体FLASH设备。在我们的例子中，它是小的microSD卡。我们需要用双面胶把这张卡片固定在桌子上。
之后，我们开始从底部擦掉陶瓷层。 这个操作需要一些时间，所以你应该非常耐心和小心。 如果你损坏了引脚层，数据恢复将是不可能的！
我们从粗砂纸（最大尺寸的砂）开始 – 1000或1200。
当第一大部分涂层被去除时，有必要将砂纸更换为较小的砂粒尺寸 – 2000。
最后，当触点铜层变得可见时，我们应该使用最小的砂粒尺寸 – 2500。
如果你正确地执行所有的操作，最后你会得到这样的东西：
下一步是在我们的全球解决方案中心搜索引脚。
要继续使用整块，我们需要焊接3组触点：
（1）数据I / O触点: D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7;
（2）指令触点: ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE;
（3）电源触点: VCC, GND.
首先，您需要选择一体FLASH器件的类别（在我们的例子中为microSD卡），之后您必须选择兼容的引脚排列（在我们的例子中为2型）。
之后，我们应该将microSD卡固定在电路板适配器上，以便更方便地焊接。
在焊接之前打印出一体FLASH器件的引脚排列方案是个好主意。 你可以把这个方案放在你的旁边，这样当你需要检查引脚数组时，它就在眼前。
我们准备开始焊接过程了！ 确保工作站有足够的光线！
在小刷子的帮助下，将一些液体活性助焊剂滴在microSD引脚触点上。
在湿齿镐的帮助下，我们应将所有BGA锡球放置在引脚排列方案上标记的铜引脚触点上。 最好使用尺寸为触点直径约75％的BGA锡球。 液体助焊剂将帮助我们将BGA球固定在microSD卡表面上。
当所有的BGA锡球都放在引脚上时，我们应该使用烙铁来熔化锡。 小心！ 轻轻地执行所有动作！ 为了熔化，请用烙铁头轻轻触碰BGA锡球。
当所有的BGA锡球都熔化后，你需要在触点上放一些BGA助焊剂。
使用热风枪，我们应该加热+ 200C的温度我们的引脚。BGA助焊剂有助于在所有BGA触点之间分配热量并小心地熔化它们。 加热后，所有触点和BGA锡将采取半球形式。
现在我们应该在酒精的帮助下去除所有的助焊剂痕迹。 您需要将它洒在microSD卡上，并用刷子清洁它。
下一步是准备铜线。 它们的长度应相同（约5-7厘米）。 为了切割相同尺寸的电线，我们建议使用一张纸作为长度测量仪。
之后，我们应该借助手术刀从电线上去除隔离漆。 从两侧稍微划伤它们。
电线准备的最后一个阶段将是松香丝镀锡的过程，以便更好地进行焊接。
现在我们准备开始焊接电路到我们的电路板。 我们建议您从电路板的侧面开始焊接，然后在显微镜的帮助下，继续将电线的另一侧焊接到单片器件上。
最后，所有电线都焊接到电路板上，我们准备开始使用显微镜将电线焊接到microSD卡上。
这是最复杂的操作，需要很多耐心。 如果你觉得你很累 – 休息一下，吃一些甜的东西，喝一杯咖啡（血液中的糖会帮助你的手不要动摇）。 之后，开始焊接。
对于右撇子，我们建议右手拿烙铁，而左手拿镊子用铜线。
你的烙铁应该是干净的！ 不要忘记在焊接时不时清理它。
当所有触点都焊接完毕后，确保没有任何一个触点连接到GND层！ 所有的针脚必须非常紧固！
现在我们准备将我们的电路板连接到PC-3000FLASH，并开始读取过程！
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